FMIPA UNS – Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) Universitas Sebelas Maret (UNS) Surakarta menambha satu lagi Guru Besar dalam bidang ilmu kepakaran Fisika Material Elektronik. Prof. Dr. Eng. Risa Suryana, S.Si., M.Si. dikukuhkan sebagai guru besar dalam bidang ilmu kepakaran Fisika Material Elektronik oleh Rektor UNS, Prof. Dr. Hartono, dr., M.Si. pada hari Selasa (11/2/2024) bertempat di Auditorium G.P.H. Haryo Mataram UNS. Beliau dikukukah sebagai Guru Besar ke-36 pada Fakultas FMIPA dan ke-345 di UNS.
Prof. Dr. Eng. Risa Suryana, S.Si., M.Si. menyampaikan pidato inaugurasi berjudul “Peran Modifikasi Permukaan Material dalam Nanosains dan Nanoteknologi”. Pengukuhan Prof. Risa Suryana sebagai Guru Besar dilakukan Acara pengukuhan Guru Besar menjadi bagian dalam agenda Sidang Terbuka Senat Akademik UNS.
Prof. Risa Suryana lahir di Bandung dan menempuh pendidikan tinggi di Institut Teknologi Bandung (ITB). Gelar Sarjana Fisika diraih Beliau pada tahun 1997, diikuti dengan gelar Magister dalam bidang Ilmu Fisika pada tahun 2000. Kemudian, Beliau melanjutkan studi doktoral bidang Quantum Engineering di Nagoya University, Jepang. Di sana, Prof. Risa berhasil meraih gelar Doktor pada tahun 2007.
Dalam perjalanan akademiknya, Prof. Risa juga memiliki pengalaman mengajar level internasional, yakni pada jenjang S-1 di Cukyou Women’s University, Jepang. Beliau aktif dalam berbagai kolaborasi penelitian dengan sejumlah institusi terkemuka, seperti Universite du Littoral Cote d’Opale (ULCO), Perancis; Tokyo University dan Nagoya University, Jepang; serta Badan Riset dan Inovasi Nasional (BRIN).
Dalam pidato pengukuhannya, Prof. Risa menjelaskan beberapa hasil penelitiannya yang berfokus pada modifikasi permukaan material dalam nanosains dan nanoteknologi. Salah satu penelitian penting yang beliau lakukan adalah dalam bidang metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). Hasil riset itu menunjukkan bahwa Palladium Silicide (Pd2Si) setebal 30 nm mampu menurunkan hambatan parasitik pada MOSFET, sehingga meningkatkan performa prosesor komputer.
Selain itu, Beliau juga meneliti substrat silicon carbide (SiC) yang sangat cocok untuk pertumbuhan gallium nitride (GaN) sebagai bahan utama dalam teknologi light emitting diode (LED) biru. Mengingat harga substrat SiC yang mahal, beliau melakukan modifikasi permukaan silikon dengan teknik molecular beam epitaxy (MBE), yang berhasil menghasilkan lapisan SiC setebal 7.920 layer pada suhu 825°C.
Dalam ranah aplikasi optoelektronik, Prof. Risa juga mengembangkan teknologi porous silicon (PSi) melalui metode anodisasi elektrokimia serta reactive ion etching (RIE). Hasil penelitian ini menunjukkan bahwa PSi dengan pori yang seragam dapat meningkatkan stabilitas fotorespon dalam perangkat optik-elektronik. Penelitian lebih lanjut juga dilakukan untuk mengaplikasikan PSi sebagai substrat dalam pertumbuhan ZnO nanofiber dengan teknik electrospinning dan ZnO nanorod dengan teknik hidrotermal. Salah satu bidang penerapan yang sedang dikaji lebih lanjut adalah dalam sel surya. Di bidang sensor, Prof. Risa mengembangkan quartz crystal microbalance (QCM) yang telah dimodifikasi dengan lapisan polyvinyl acetate (PVAc). Hasil penelitian menunjukkan bahwa nanofiber PVAc memiliki sensitivitas lebih tinggi dibandingkan dengan thin-film PVAc, terutama dalam mendeteksi prekursor ekstasi dengan batas deteksi hingga 0,7 ppm.
Dengan berbagai pencapaian dalam bidang ilmu Fisika Material Elektronik, Prof. Risa Suryana diharapkan dapat terus memberikan inspirasi bagi mahasiswa dan peneliti muda. Kontribusinya diharapkan membawa kemajuan bagi dunia riset dan inovasi di Indonesia. Kebanggaan bagi UNS memiliki sosok akademisi Prof. Risa, yang terus berkontribusi dalam mengembangkan ilmu pengetahuan dan teknologi di tingkat global.
[Humas Fakultas MIPA UNS]
